新規パワー半導体デバイス設計・開発 ※世界の技術者と開発/転居費用負担有
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求人No. 131288
募集要項
業務内容 |
~業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業~ ■業務内容:世界のファンダリ―メーカーと協力して高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を行っていただきます。 具体的には、 ・パワー半導体デバイス(SBD、DMOS、トレンチMOS、IGBT等)のデバイス(チップ)の開発・設計、プロセスインテグレーション開発 ・ファウンドリーでのデバイス試作用プロセス全体の指示 ・デバイスの信頼性評価技術(TEG作成からTDDB評価など)、レイアウト技術(GDS)、デバイスシミュレーター(Synopsis Sentaurusなど)の使用 ・低歩留まりチップの不良解析、歩留まり向上対策 ・パワー半導体デバイスのPKG、モジュールの設計、開発 ・最先端パワーデバイスの調査及び新規デバイス構造の提案 ・汎用または車載用パワーモジュールの設計・開発 開発に携わっていただいた半導体は「EV」「風力発電」「太陽光発電」「データセンターのファシリティーパワー」の分野で 「電力変換の高効率化」が実現できると想定しており、「CO2排出削減」「省エネルギー」といった社会課題の解決につながります。 |
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語学力 |
要 英語又は中国語での日常会話は必須。※海外との定期的な連携がある為。 |
年収 |
500万~1000万 |
給与 |
年俸制 <月額> 410,000円~830,000円(12分割) |
雇用形態 |
正社員 |
勤務地 |
京都府 |
通勤交通費 |
一部支給 上限月2万円 |
休日 |
年間休日120日 土日祝日 年末年始休暇 夏期 |
福利厚生 |
各種保険完備 定年:65歳 転居費用負担 /規定有 駐車場は有料(8800円/月) 服装自由 |
企業情報
事業内容 |
GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている同社。 日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス(Si, SiC, GaN etc.)の設計を目指します。 |
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業種分類 |
メーカー/半導体 |
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