求人詳細

新規パワー半導体デバイス設計・開発 ※世界の技術者と開発/転居費用負担有 気になる

募集要項

業務内容

~業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業~

■業務内容:世界のファンダリ―メーカーと協力して高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を行っていただきます。

具体的には、
・パワー半導体デバイス(SBD、DMOS、トレンチMOS、IGBT等)のデバイス(チップ)の開発・設計、プロセスインテグレーション開発
・ファウンドリーでのデバイス試作用プロセス全体の指示
・デバイスの信頼性評価技術(TEG作成からTDDB評価など)、レイアウト技術(GDS)、デバイスシミュレーター(Synopsis Sentaurusなど)の使用
・低歩留まりチップの不良解析、歩留まり向上対策
・パワー半導体デバイスのPKG、モジュールの設計、開発
・最先端パワーデバイスの調査及び新規デバイス構造の提案
・汎用または車載用パワーモジュールの設計・開発

開発に携わっていただいた半導体は「EV」「風力発電」「太陽光発電」「データセンターのファシリティーパワー」の分野で
「電力変換の高効率化」が実現できると想定しており、「CO2排出削減」「省エネルギー」といった社会課題の解決につながります。

語学力


英語又は中国語での日常会話は必須。※海外との定期的な連携がある為。

年収

500万~1000万

給与

年俸制
<月額>
410,000円~830,000円(12分割)

雇用形態

正社員

勤務地

京都府

通勤交通費

一部支給
上限月2万円

休日

年間休日120日
土日祝日
年末年始休暇
夏期

福利厚生

各種保険完備
定年:65歳
転居費用負担 /規定有
駐車場は有料(8800円/月)
服装自由

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企業情報

事業内容

GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている同社。
日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス(Si, SiC, GaN etc.)の設計を目指します。

業種分類

メーカー/半導体

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