ディスクリート半導体のプロセスエンジニア ~業界先端のパワーデバイス開発を行う注目のベンチャー企業~
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求人No. 171628
募集要項
業務内容 |
■業務内容: 化合物半導体(SiC,GaN)を使用したパワー半導体の量産化にあたり、委託先の海外工場との連携を行って頂きます。 委託先工場は複数あり、製造・テストもそれぞれ別の工場(工場間で製品は直送)になります。 担当領域は、プロセスインテグレーション(進捗管理)、工程管理、物流管理です。 生産・在庫管理は別担当が行う為、工場へ製造・テストの指示や内容の確認がメインとなります。 国内・海外チームメンバー間の業務連携が重要です。 ※ご入社後は、ご本人のキャリアを考慮し、担当できる業務からお任せしていきます。 ※海外出張があり、海外とのWEBミーティングは週5~6回ございます。 ■担当製品について: Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.) ■成長計画: パワー半導体の開発に関する知識・経験のある人材を採用し、設計・開発力の強化、向上を図ります。 また。高効率なエコデバイスの実現の為、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携を取り、 高性能パワーデバイスの早期市場投入を目指しています。 ■同社について: ◇高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。 ◇高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。 ◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。 ◇設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。 ◇2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています |
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語学力 |
要 |
年収 |
700万~1000万 |
給与 |
年俸制 <月額> 583,333円~916,666円(12分割) |
雇用形態 |
正社員 |
勤務地 |
京都府 |
通勤交通費 |
一部支給 上限月2万円 |
休日 |
年間休日120日 土日祝日 年末年始休暇 夏期 |
福利厚生 |
各種保険完備 転居費用負担 /規定有 マイカー通勤可(駐車場8,800円/月) 服装自由 ストックオプション |
企業情報
事業内容 |
GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている同社。 日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス(Si, SiC, GaN etc.)の設計を目指します。 |
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業種分類 |
メーカー/半導体 |
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