求人詳細

パワー半導体デバイスの設計開発 ~業界先端のパワーデバイス開発を行う注目のベンチャー企業~ 気になる

募集要項

業務内容

■業務内容:
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けたパワー半導体デバイスの設計・シミュレーション開発をお任せします。

■配属先情報:
大手半導体メーカー(TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム)等で
20~30年以上の経験を持つメンバーと仕事をすることができます。

■成長計画:
パワー半導体の開発に関する知識・経験のある人材を採用し、設計・開発力の強化、向上を図ります。
また。高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携を取り、
高性能パワーデバイスの早期市場投入を目指しています。

■同社について:
◇高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。
◇高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。
◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。
◇設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。
◇2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています

語学力


年収

700万~1000万

給与

年俸制
<月額>
583,333円~916,666円(12分割)

雇用形態

正社員

勤務地

京都府

通勤交通費

一部支給
上限月2万円

休日

年間休日120日
土日祝日
年末年始休暇
夏期

福利厚生

各種保険完備
転居費用負担 /規定有
マイカー通勤可(駐車場8,800円/月)
服装自由
ストックオプション

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企業情報

事業内容

GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている同社。
日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス(Si, SiC, GaN etc.)の設計を目指します。

業種分類

メーカー/半導体

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