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【名古屋】エンタープライズ営業 ◆スキマバイトシェアNo.1/ユーザー数700万人突破◆
求人No.171640【広島】カスタマーサクセス
求人No.169479【北海道】カスタマーサクセス
求人No.169480あなたにぴったりの求人をご案内します
【福岡】カスタマーサクセス
求人No.169481| 業務内容 | ■業務内容: 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、 高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、ファウンドリーとのデバイス試作をお任せします。 SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けデバイス試作(パッケージ/モジュール)を強化するための採用です。 また2… |
|---|---|
| 年収 | 700万~1000万 |
| 勤務地 | 京都府 |
| 事業内容 | GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている同社。 日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス(Si, SiC, GaN etc.)の設計を目指します。 |
| 業務内容 | ■業務内容: 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、 高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、信頼性技術の確立・歩留まり改善をお任せします。 ■担当製品について: Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.) ■成長計画: パワー半導体の開発に関する知識・経験のある人材を採用し、設… |
|---|---|
| 年収 | 700万~1000万 |
| 勤務地 | 京都府 |
| 事業内容 | GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている同社。 日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス(Si, SiC, GaN etc.)の設計を目指します。 |
あなたにぴったりの求人をご案内します
| 業務内容 | ■業務内容: 化合物半導体(SiC,GaN)を使用したパワー半導体の量産化にあたり、委託先の海外工場との連携を行って頂きます。 委託先工場は複数あり、製造・テストもそれぞれ別の工場(工場間で製品は直送)になります。 担当領域は、プロセスインテグレーション(進捗管理)、工程管理、物流管理です。 生産・在庫管理は別担当が行う為、工場へ製造・テストの指示や内容の確認がメインとなります。 国内・海外チー… |
|---|---|
| 年収 | 700万~1000万 |
| 勤務地 | 京都府 |
| 事業内容 | GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている同社。 日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス(Si, SiC, GaN etc.)の設計を目指します。 |
パワー半導体デバイスの設計開発 ~業界先端のパワーデバイス開発を行う注目のベンチャー企業~
求人No.171596| 業務内容 | ■業務内容: 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けたパワー半導体デバイスの設計・シミュレーション開発をお任せします。 ■配属先情報: 大手半導体メーカー(TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム)等で 20~30年以上の経験を持つメンバーと仕事をすること… |
|---|---|
| 年収 | 700万~1000万 |
| 勤務地 | 京都府 |
| 事業内容 | GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている同社。 日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス(Si, SiC, GaN etc.)の設計を目指します。 |
【職種未経験OK】総務部での社内SE
求人No.171587【未経験可能】新幹線など鉄道車両部品の製造職
求人No.171583- 求人詳細ページを閲覧した求人は、求人検索結果ページで右上にチェックマーク
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